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二極管的伏安特性
作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2019.12.28
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二極管的伏安特性二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系,用于定性描述這兩者關系的曲線稱為伏安特性曲線正向特性外加…
  二極管的伏安特性
  二極管的伏安特性是指加在二極管兩端電壓和流過二極管的電流之間的關系,用于定性描述這兩者關系的曲線稱為伏安特性曲線
  正向特性
  外加正向電壓較小時,二極管呈現的電阻較大,正向電流幾乎為零,曲線OA段稱為不導通區或死區。一般硅管的死區電壓約為0.5伏, 鍺的死區電壓約為0.2伏,該電壓值又稱門坎電壓或閾值電壓。
  當外加正向電壓超過死區電壓時,PN結內電場幾乎被抵消,二極管呈現的電阻很小,正向電流開始增加,進入正向導通區,但此時電壓與電流不成比例如AB段。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加,如BC段特性曲線陡直,伏安關系近似線性,處于充分導通狀態。
  二極管導通后兩端的正向電壓稱為正向壓降(或管壓降),且幾乎恒定。硅管的管壓降約為0.7V,鍺管的管壓降約為0.3V.
  反向特性
  二極管承受反向電壓時,加強了PN結的內電場,二極管呈現很大電阻,此時僅有很小的反向電流。如曲線OD段稱為反向截止區,此時電流稱為反向飽和電流。實際應用中,反向電流越小說明二極管的反向電阻越大,反向截止性能越好。一般硅二極管的反向飽和電流在幾十微安以下,鍺二極管則達幾百微安,大功率二極管稍大些。
  當反向電壓增大到一定數值時(圖中D點),反向電流急劇加大,進入反向擊穿區,D點對應的電壓稱為反向擊穿電壓。二極管被擊穿后電流過大將使管子損壞,因此除穩壓管外,二極管的反向電壓不能超過擊穿電壓。

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