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APD光電二極管的發展歷程了解一下
作者: 編輯: 來源: 發布日期: 2021.03.05
信息摘要:
關注并了解光電二極管的發展歷程,我們才知道該元件因何產生,在應用過程中的缺陷以及針對不足提出的改進措施,這些將是我們研究光電二極管的參考依據…
  關注并了解光電二極管的發展歷程,我們才知道該元件因何產生,在應用過程中的缺陷以及針對不足提出的改進措施,這些將是我們研究光電二極管的參考依據。接下來,小編對光電二極管的發展歷程進行了總結,感興趣的了解一下吧。
  1、萌芽期(1975年以前):典型的雪崩模式I-V曲線出現于1957年,由德國西門子公司申請的專利,標志著雪崩增益裝置的出現;1967年由美國貝爾實驗室申請的APD光電二極管裝置的專利;此后,其他國家也有一些申請,但數量有限,此時處于APD的萌芽期。
  2、快速增長期(1976~1989年):隨著硅、鍺、GaAs材料生長工藝的完善和對弱光探測需求的增長,APD器件專利申請已進入快速發展時期,特別是在日本申請的數量急劇增加。
  3、低谷期(1990~1999年):由于基于硅、鍺和GaAs材料的APD器件的研究日益完善,而新材料的開發速度也越來越慢,專利申請數量必然會陷入低谷。
  4、成熟期(2000年至今):隨著材料生長工藝的發展,特別是MOCVD外延技術的成熟,諸如GaN、SiC等第三代半導體的生長工藝已經能夠生長出符合器件制備要求的材料,APD器件的專利申請也進入了成長和成熟階段,在此基礎上,APD光電二極管器件的專利申請又趨于平穩。
  以上便是APD光電二極管的發展歷程。

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